DRAM的技术发展路径是以微缩制程来提高存储密度。制程工艺进入20nm之后，制造难度大幅度的提高，内存芯片厂商对工艺的定义从具体的线宽转变为在具体制程范围内提升二或三代技术来提高存储密度。譬如，1X/1Y/1Z是指10nm级别第一代、第二代、第三代技术，未来还有1/1/1。

  目前市场上DRAM的应用比较广泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨头厂商均已开发出1Znm制程的DRAM。国产DRAM厂商合肥长鑫现已量产的DRAM为19nm制程，预计2021年可投产17nmDRAM，技术与国际先进的厂商还有较大的差距。

  2016-2022年，全球DRAM市场规模波动变化，2021年销售额达940亿美元，同比增长39.47%。伴随着消费电子需求冷却，2022年销售额达到797亿美元，同比下降15.21%。

  从全球DRAM芯片市场销售区域格局来看，美国和中国是DRAM芯片的主要消费市场，市场占有率合计在70%以上。2022年，中国购买了全球30%的DRAM芯片，排名全球第二，仅次于美国的33%。

  DRAM市场集中度较高，行业主要被三星、海力士、美光三大厂商所垄断，2022年三大厂商市场占有率达90%以上。

  与NAND闪存不同，因为DRAM比较难堆叠芯片层数，所以制造商大多只能以减少电路间距的方式，提高性能效率。拉近电路距离的好处包含提高信号处理速度、降低工作电压，和增加每个硅片的DRAM产量。这也是各大制造商展开纳米竞争的缘由。

  根据Yole数据，2022年全球DRAM实现销售额797亿美元;2016-2022年市场年均复合增长率为11.8%。据此，前瞻保守估计未来5年DRAM市场规模将以12%左右的增长率增长，到2028年市场规模将达到1438亿美元左右。

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